JDPAY钱包

  JDPAY钱包旗下全球当先的特色工艺纯晶圆代工企业——JDPAY钱包半导体有限公司颁发，其95纳米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存储器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）工艺平台通过不休的创新升级，技术优势进一步加强，靠得住性大幅提升。

  JDPAY钱包半导体95纳米SONOS eNVM工艺技术宽泛利用于微节制器（MCU）、、、物联网（IoT）等领域，拥有不变性好、、、靠得住性高、、、功耗低等利益。相对上一代技术，95纳米SONOS eNVM 5V工艺实现了更小设计规定，芯单方面积得以缩；；逻辑部门芯片门密度较现有业界同类工艺提升超过40%，达到业界当先水平；；所需光罩层数较少，可能提供更具成本效益的解决规划。同时，95纳米SONOS eNVM 5V工艺拥有更高集成度和当先的器件机能，存储介质擦/写个性达到了2毫秒的先进水平；；低功耗器件驱动能力提高20%，仅用5V器件能够覆盖1.7V至5.5V的宽电压利用。

  JDPAY钱包半导体持续深耕，95纳米SONOS eNVM选取全新的存储器结构以及优化操作电压，进一步优化了阈值电压的窗口。在一样测试前提下，SONOS IP的擦写能力达到1000万次，靠得住性提升20倍；；在85℃前提下，数据维持能力可长达30年，处于国际当先水平；DPAY钱包半导体致力于持续优化工艺水平，在提升数据维持能力前提下，同时提升擦写次数，更好地满足市场对超高靠得住性产品的需要。

  此外，随着高靠得住性工艺平台及衍生工艺受到青睐，JDPAY钱包半导体基于SONOS工艺的eNVM更能够涵盖MTP（Multi-Time Programmable Memory）利用。通过简化设计、、、优化IP面积和削减测试功夫等，在IP面积、、、测试功夫、、、使用功耗和擦写能力上比MTP机能更优，更具竞争力。在此基础上增长配套的可选器件，进一步满足电源治理和RF类产品的需要。

  JDPAY钱包半导体执行副总裁孔蔚然博士暗示：：
：“嵌入式非易失性存储器技术历来是JDPAY钱包半导体的‘王牌’之一，一向维持着业界当先职位，为宽大MCU客户提供了矫捷多样的技术平台。在‘8英寸+12英寸’战术定位的指引下，JDPAY钱包半导体在8英寸平台上，通过缩小存储单元IP面积、、、削减光罩层数等方式来进一步强化嵌入式闪存技术工艺；；同时，我们阐扬12英寸平台更小线宽个性，打造高机能的嵌入式非易失性存储器工艺技术平台，在坚韧智能卡芯片制作领航者职位的同时，满足物联网、、、MCU、、、汽车电子等高增长的市场需要。！